產品詳情
硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900
上海伯東代理的硬 X射線光電子能譜儀 PHI GENESIS 900, 與傳統的 XPS（軟X射線光電子能譜）相比, 硬 X射線光電子能譜儀 HAXPES 具有更深的探測深度, 通常可達約 30nm, 適用于多層薄膜, 半導體光電器件等樣品的無損深度分析.
硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900 特點
易操作式多功能選配附件
全自動樣品傳送停放
高性能大面積和微區 HAXPES 分析
快速精準深度剖析
為電池, 半導體, 有機器件以及其他各領域提供全面解決方案
可聚焦≤ 5μm 的微區 X 射線束斑
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在 PHI GENESIS 900 中,聚焦掃 描X射線源可以激發二次電子影像（SXI）,利用二次電子影像可以進行導航, 精準零誤差定位, 多點多區域同時分析測試以及深度剖析 |
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大幅提升的二次電子影像(SXI) |
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硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900 應用案例
電池
" LiPON / LiCoO? 橫截面的 pA-AES Li 化學成像”
Li 基材料例如 LiPON, 對電子束輻照敏感
PHI GENESIS 900 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取 AES 化學成像
有機器件: 使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GClB 測量能帶結構
(1) Cso 薄膜表面
(2) Cso 薄膜表面清潔后
(3) Co 薄膜/Au 界面
(4) Au 表面通過 UPS / LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構.
半導體: 半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成, 它們的研發通常需要對界面處的化學態進行無損分析. 為了從深層界面獲取信息, 例如柵極氧化膜下的 GaN, 使用 HAXPES 是非常有必要的.
微電子: 微小焊錫點分析
HAXPES 分析數據顯示金屬態 Sn 的含量高于 XPS 分析數據, 這是由于 Sn 球表面被氧化, 隨著深度的加深, 金屬態 Sn 的含量越高, 正好符合 HAXPES 分析深度比 XPS 深的特點.
什么是硬 X射線光電子能譜 HAXPES
硬X射線光電子能譜 HAXPES 是一種先進的表面分析技術, 主要用于研究固體樣品的表面電子結構和化學態. HAXPES 利用高能 X射線（例如 CrKα射線, 能量為 5414.7eV）激發樣品表面的電子. 通過測量這些電子的能量分布, 能夠獲得關于樣品表面的化學成分和電子結構的詳細信息. 與傳統的 XPS（軟X射線光電子能譜）相比, HAXPES 具有更深的探測深度, 通常可達約 30nm, 適用于多層薄膜, 半導體光電器件等樣品的無損深度分析.
若您需要進一步的了解 硬X射線光電子能譜 HAXPES 詳細信息或討論,
請聯絡上海伯東: 葉女士 13918837267 ( 微信同號 )
